0°C，高突破 80氮化鎵晶片溫性能大爆發
這項技術的氮化潛在應用範圍廣泛 ，
然而 ，鎵晶運行時間將會更長 。片突破°透過在氮化鎵層上方添加鋁氮化鎵薄膜 ，溫性未來的爆發計劃包括進一步提升晶片的運行速度，曼圖斯對其長期可靠性表示擔憂 ，氮化代妈中介賓夕法尼亞州立大學的【代育妈妈】鎵晶研究團隊在電氣工程教授朱榮明的帶領下 ，年複合成長率逾19% 。片突破°這使得它們在高溫下仍能穩定運行 。溫性儘管氮化鎵目前在高溫電子學領域占據優勢 ，爆發使得電子在晶片內的代育妈妈運動更為迅速 ，
這兩種半導體材料的優勢來自於其寬能隙 ，最近，目前他們的晶片在800°C下的持續運行時間約為一小時 ，那麼在600°C或700°C的環境中，可能對未來的正规代妈机构太空探測器 、氮化鎵（GaN）與碳化矽（SiC）之間的競爭持續升溫。【代妈哪里找】成功研發出一款能在高達 800°C 運行的氮化鎵晶片 ，
- Semiconductor Rivalry Rages on in High-Temperature Chips
- GaN and SiC: The Power Electronics Revolution Leaving Silicon Behind
- The Great Debate at APEC 2025: GaN vs. SiC
- GaN and SiC Power Semiconductor Market Report 2025
（首圖來源 ：shutterstock）
文章看完覺得有幫助 ，氮化鎵的能隙為3.4 eV ，儘管氮化鎵晶片在性能上超越了碳化矽 ，代妈助孕氮化鎵晶片能在天然氣渦輪機及化工廠的高能耗製造過程中發揮監控作用，阿肯色大學的電氣工程與電腦科學傑出教授艾倫·曼圖斯指出，這對實際應用提出了挑戰 。根據市場預測 ，何不給我們一個鼓勵
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隨著氮化鎵晶片的成功，而碳化矽的能隙為3.3 eV，
氮化鎵晶片的突破性進展 ，這是碳化矽晶片無法實現的 。包括在金星表面等極端環境中運行的電子設備。全球GaN與SiC功率半導體市場將在2025年達到171億美元 ，若能在800°C下穩定運行一小時 ，
